<?xml version="1.0" encoding="utf-8" standalone="yes"?><rss version="2.0" xmlns:atom="http://www.w3.org/2005/Atom"><channel><title>Electronics on Américo Dias</title><link>https://americo.dias.pt/pt/categories/electronics/</link><description>Recent content in Electronics on Américo Dias</description><generator>Hugo</generator><language>pt-PT</language><lastBuildDate>Wed, 06 May 2026 12:56:48 +0100</lastBuildDate><atom:link href="https://americo.dias.pt/pt/categories/electronics/index.xml" rel="self" type="application/rss+xml"/><item><title>Transmissor de Radiofrequência para Implantes Biomédicos Subcutâneos</title><link>https://americo.dias.pt/pt/posts/thesis/</link><pubDate>Sun, 24 Jun 2018 08:30:00 +0100</pubDate><guid>https://americo.dias.pt/pt/posts/thesis/</guid><description>&lt;!--
*[A/D]: Analog-to-digital converter
*[AWGN]: Additive white Gaussian noise
*[BPSK]: Binary phase shift keying
*[CMOS]: Complementary metal–oxide–semiconductor
*[DRC]: Design rule check
*[DSO]: Digital sampling oscilloscope
*[DSSS]: Direct-sequence spread spectrum
*[EIRP]: Equivalent isotropically radiated power
*[FCC]: Federal Communications Commission
*[FF]: Fast NMOS and fast PMOS
*[FS]: Fast NMOS and slow PMOS
*[FSK]: Frequency-shift keying
*[GPS]: Global positioning system
*[IFN]: Integrate-and-fire neuron
*[IR-UWB]: Impulse-radio ultra-wideband
*[LNA]: Low-noise amplifier
*[LTCC]: Low-temperature co-fired ceramic
*[LVS]: Layout-versus-schematic
*[MB-OFDM]: Multi band orthogonal frequency-division multiplexing
*[MB-UWB]: Multi-band ultra-wideband
*[MOSFET]: Metal–oxide–semiconductor field-effect transistor
*[MSK]: Minimum-shift keying
*[NMOS]: N-channel metal–oxide–semiconductor transistor
*[OFDM]: Orthogonal frequency-division multiplexing
*[OOK]: On-off keying
*[PA]: Power amplifier
*[PAE]: Power added efficiency
*[PAM]: Pulse amplitude modulation
*[PEX]: Parasitic extraction
*[PHY]: Physical layer
*[PMOS]: P-channel metal–oxide–semiconductor transistor
*[PN]: Pseudo noise
*[PPM]: Pulse position modulation
*[PRF]: Pulse repetition frequency
*[PSD]: Power spectral density
*[RF]: Radio-frequency
*[SF]: Slow NMOS and fast PMOS
*[SNR]: Signal-to-noise ratio
*[SS]: Slow NMOS and slow NMOS
*[TSMC]: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company
*[TT]: Typical NMOS and typical PMOS
*[UMC]: United Microelectronics Corporation
*[UWB]: Ultra-wideband
*[VCO]: Voltage controlled oscillator
*[IoT]: Internet of Things
--&gt;
&lt;h2 id="sobre-esta-edição"&gt;Sobre esta edição&lt;/h2&gt;
&lt;p&gt;Publicar uma edição web do meu relatório de tese de mestrado foi um projeto que tenho vindo a
adiar nos últimos anos. Finalmente, tive tempo para trabalhar nele. Este relatório foi
entregue há quase 7 anos - no momento em que escrevo - em junho de 2010.&lt;/p&gt;</description></item><item><title>Simulador de Phase Locked Loop em SystemC-AMS</title><link>https://americo.dias.pt/pt/posts/pll/</link><pubDate>Fri, 02 Mar 2018 08:30:00 +0100</pubDate><guid>https://americo.dias.pt/pt/posts/pll/</guid><description>&lt;h2 id="1-introdução"&gt;1. Introdução&lt;/h2&gt;
&lt;p&gt;Quando comecei a aprender SystemC-AMS, um dos primeiros circuitos que decidi
implementar foi um Phase Locked Loop. A razão para isto é porque tive uma
experiência a &lt;a href="https://web.archive.org/web/20160523165857/http://usgroup.eu/activities/projects/wireless_front-end/" target="_blank" rel="noopener noreffer "&gt;simular um PLL de 2.4GHz&lt;/a&gt;
enquanto era &lt;a href="https://web.archive.org/web/20150715000110/http://usgroup.eu:80/blog/author/adias/" target="_blank" rel="noopener noreffer "&gt;membro do Grupo de Estudantes de Microelectrónica&lt;/a&gt;,
e apercebi-me de como é difícil simular tal circuito, especialmente quando a
frequência de saída e a frequência de referência estão várias ordens de grandeza
separadas. O simulador tem de usar um passo de tempo pequeno para acomodar a
frequência mais alta, mas ao mesmo tempo, o PLL vai demorar um tempo
relativamente longo a bloquear e atingir o estado estacionário.&lt;/p&gt;</description></item></channel></rss>